Японские учёные из Национального института материаловедения (NIMS) и ряда университетов, включая Токийский, Киотский и Тохоку, сделали важное научное открытие, подтвердив экспериментально проявление альтермагнетизма в тонких плёнках диоксида рутения. Это явление, заметное всего лишь год назад, становится основой для разработки новых магнитных накопителей, что может коренным образом изменить подходы к созданию жёстких дисков и памяти MRAM.
Исследователи использовали метод точного эпитаксиального выращивания плёнок RuO2 на подложках Al2O3, что позволило им изучить уникальные спиновые свойства данного материала. Полученные результаты соответствуют теоретическим ожиданиям и подтвердились с помощью таких передовых методов, как рентгеновская дифракция и магнитный линейный дихроизм.
Альтермагнетизм выделяется как третий основной тип магнетизма, объединяющий преимущества как ферромагнетиков, так и антиферромагнетиков. В отличие от них, альтермагнетики обладают уникальными свойствами, позволяющими снизить вероятность ошибок в устройствах памяти благодаря стойкости к внешним полям. Также их спиновые состояния легче считывать и управлять ими, что важно в условиях растущего энергопотребления современных дата-центров.
Данные открытия могут привести к созданию новых, более быстрых, энергоэффективных и устойчивых к радиации запоминающих устройств. Хотя технология всё ещё находится на начальных этапах развития, перспектива её коммерциализации вызывает большой интерес в научных кругах. Это открытие считается важным шагом в эволюции спинтронных вычислений и хранения информации.