Американская компания NEO Semiconductor сообщила о создании прототипа 3D X-DRAM, который может решить проблему нехватки оперативной памяти. Инновация будет способствовать повышению плотности хранения данных и уже привлекла внимание инвесторов и крупных производителей памяти.
- Первый прототип 3D X-DRAM создан в рамках концептуального доказательства.
- Компания активно ведет переговоры с крупными производителями.
- Привлечение инвестора Стэна Ши и сотрудничество с тайваньскими университетами.
- Технические характеристики прототипа показывают отличные результаты.
Перспективы и характеристики 3D X-DRAM
Созданная память имеет потенциальные преимущества по сравнению с существующими стандартами. Разработчики NEO Semiconductor уверены, что стековая компоновка DRAM и широкая шина данных в 32 000 бит обеспечат плотность записи в 512 Гбит на кристалл и увеличенную пропускную способность в 16 раз по сравнению с HBM.
Поддержка и сотрудничество
Ключевым шагом для NEO Semiconductor стало привлечение Стэна Ши, легенды электронной промышленности, который ранее основал Acer и возглавлял TSMC. Также важно сотрудничество с Национальным университетом Янмин Цзяотун и Школой инноваций, что способствует успешному развитию технологий.
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Задержка чтения/записи | менее 10 нс |
| Время регенерации при 85 °C | более 1 секунды |
| Устойчивость к износу | 10¹⁴ |
Согласно заявлениям Джека Сана, старшего вице-президента Нью-Йоркского университета, успешная проверка концепции подтверждает необходимость инновационных решений в области памяти и их внедрение в реальное производство. В отличие от HBM, которая не ожидает появления аналогичных технологий до середины века, NEO Semiconductor готова предложить свои решения в ближайшем будущем.